
在全球功率半导体产业链持续重构的背景下,本土化制造能力正在成为支撑智能汽车、AI服务器、工业制造发展的关键底座。安世半导体(中国)持续加码本土产业链建设,依托中国战略合作伙伴完成 12 英寸晶圆工艺平台的全面升级,并推出覆盖功率、逻辑、双极性分立器件的完整新品矩阵,依托自主可控的本土供应体系与全球统一品质标准,为国内高端制造领域注入新的器件供给力量。
作为拥有多年发展历史的全球功率半导体龙头之一,安世中国长期深度参与全球供应链布局,在汽车电子、工业、消费电子赛道拥有成熟的产品积淀。面对近年全球半导体供应链的持续波动,企业持续夯实国内研发、制造、供应链全链路能力,以“立足中国・服务全球”的长期路线,兼顾本土客户交付需求与全球化市场供货。

12英寸晶圆工艺平台落地,规模化制造与车规级品质双进阶
依托国内战略合作伙伴,安世中国搭建起成熟的12英寸晶圆工艺平台,相较传统8英寸产线实现全方位进阶。12英寸晶圆有效面积可达8英寸的2.25倍,单片芯片产出能力大幅提升,依靠规模化制造摊薄生产成本,为下游客户带来更具竞争力的采购空间。
在可靠性层面,整套产线搭载全自动先进生产设备,对芯片关键尺寸实现高精度管控,收窄电气参数离散度,适配车规、工业控制等高可靠性场景。全自动化流程减少人为干预,叠加高标准洁净管控,有效降低晶圆缺陷密度,成熟制程良率稳定保持行业领先,保障大批量订单交付的一致性。
所有产品严格遵循AEC-Q100/Q101车规标准以及IATF 16949质量管理体系,工作温域覆盖- 55℃至 175℃,单颗芯片支持全流程溯源;产线同步引入先进光刻、离子注入工艺,为后续产品性能迭代预留空间,拉长产品生命周期,契合工业、汽车器件长周期供货需求。
三大产品线同步迭代,国产高端分立器件供给边界再拓宽
基于12英寸晶圆工艺平台,安世中国三大核心产品线同步完成迭代更新,精准匹配多元化高端应用场景。
功率器件板块推出T2X系列低压MOSFET与第八代FS8 IGBT。其中T2-40 平台导通电阻低至0.48mΩ,T2-80平台性能提升超5倍,适配AI服务器供电、机器人关节控制等高功率密度场景;FS8 IGBT损耗降低约10%,可作为碳化硅器件的高性价比替代方案,面向新能源汽车、储能等高压应用。
逻辑器件方面,当前12英寸平台可量产逻辑芯片料号已超1300颗,覆盖消费电子、工业、汽车、AI多赛道,存量产品的平台迁移迭代仍在持续推进。全新HCS系列逻辑芯片性能表现突出,依托自研BONA结构工艺保障可靠性,产品失效率达到PPB级别,覆盖信号整形、电平转换、总线驱动等主流电路功能。
双极性分立器件则迎来标志性突破,安世中国成为全球首家实现12英寸晶圆双极型二极管、三极管研发与部分量产落地的企业,同步推出NPN三极管、ESD 保护二极管、开关二极管共7款通用器件,参数表现优异,能够满足各类基础电路设计需求。
成本红利与服务网络并行,本土化供给价值加速释放
依托12英寸平台的规模效应与本土全链路运营优势,这批新品在维持全球统一品质的同时释放成本红利,多款主流产品实现价格下调,降幅集中在 10%-20%,部分高价值产品降幅可达30%,让下游制造企业共享工艺升级带来的成本优势。
除产品端布局之外,安世中国持续完善面向全球客户的服务体系。一方面搭建广泛的线下销售与技术服务网络,为不同区域、不同规模客户提供本地化技术支持与交付保障;另一方面加速数字化转型,上线安世官方商城,打造线上数字化服务窗口,可提供原厂正品采购、库存实时查询、技术文档下载、样品申请、在线售后等一站式服务,覆盖研发打样、中小批量采购等场景,和渠道伙伴协同打造高效透明的采购链路。
业内分析认为,功率半导体的本土化进阶,不止是产线尺寸的升级,更是供给、品质、成本、服务综合能力的比拼。安世中国12英寸平台与全品类器件矩阵的落地,进一步丰富了高端分立器件的本土供给选择,为新能源汽车、人工智能、高端工业装备等赛道的长期发展筑牢元器件根基。
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