朗矽科技完成近2亿元Pre-A+轮融资，硅基无源器件深度融入先进封装产业链——构建硅电容、硅电阻、硅电感先进封装器件芯片化平台

近日，上海朗矽科技有限公司（以下简称“朗矽科技”或“公司”）正式完成近2亿元Pre-A+轮融资。本轮融资共有7家机构参与，包括高瓴创投、智微资本、商汤国香资本、嘉溢创投、飞图创投及中启资本，老股东东方富海持续加注。市场化投资机构、产业资本与老股东的共同支持，体现了资本市场对公司技术路线、产业协同能力及商业化前景的认可。公司近年营收保持成倍增长，累计融资近3亿元。

本轮募集资金将主要用于加大硅电容、硅电阻、硅电感先进封装器件芯片化平台研发投入、扩充核心团队及采购关键设备，进一步推动产品规模化量产与交付。融资完成后，公司将加快产品的迭代与导入，持续深化与客户、晶圆厂、封装厂及基板厂的协同开发，提升面向AI处理器、高性能计算与高速互联市场的综合服务能力，并提供高效系统级解决方案。

助力先进封装：表贴与基板埋容均获客户验证

AI大模型与高性能计算持续推高算力密度和芯片功耗，供电网络（PDN，power delivery network）面临更高的瞬态响应、低阻抗和小型化要求。硅电容具备超低等效串联电阻（ESR）、等效串联电感（ESL）、宽温域稳定和超薄集成等优势，正加速进入GPU、CPU及SoC等先进封装体系，成为近芯高频去耦的必选项。

针对不同封装架构和应用需求，朗矽科技已形成表贴与基板埋容两条核心产品路径：表贴硅电容可灵活适配封装内外的高密度去耦需求；多端子基板埋容则面向封装基板内部集成。两类方案均已通过客户验证，关键性能指标已比肩甚至超越国际头部企业同类产品，成功打破海外巨头在高端硅基无源器件领域的长期垄断，实现国产替代。公司已从单点器件研发延伸至多种先进封装应用场景，并与多家晶圆厂、封装厂和基板厂紧密合作，打通双备份产业链，月产能超5亿颗，具备规模化量产的坚实基础。

协同上下游：从产品送样走向产业链深度融合

先进封装体系不是单一器件的独立创新，而是芯片设计、封装工艺、基板能力与系统需求共同作用的系统工程。为此，朗矽科技把产业协同前置到产品定义和开发阶段，围绕尺寸、参数、端子结构、封装形式及可靠性要求，与多个客户、封装厂和基板厂开展紧密合作。

通过上下游联合验证与协同开发，公司持续打通从器件设计、工艺适配到封装导入的关键环节，使硅电容更顺畅地嵌入先进封装与PDN设计。现阶段，公司多端子基板埋容产品已在CPU、GPU领域实现规模化交付，相关产品获得亿元级订单；在光模块领域已批量供货海外头部客户。已量产和已验证客户逾20家，面向先进封装与PDN深度融合的产品矩阵也在持续丰富。

不止硅电容：打造硅基无源器件平台

朗矽科技的布局不止于单一硅电容器件。公司正系统构建硅电容、硅电阻、硅电感产品矩阵，以共同的硅基工艺、设计能力和客户协同机制，覆盖滤波、去耦、阻抗匹配及电源管理等更多需求，形成可组合、可定制、可协同验证的硅基无源器件平台。

目前，公司产品已有逾200款硅电容、硅电阻系列量产型号，并持续推进硅基功率电感研发和硅基无源器件2.5D/3D集成布局。平台化发展让朗矽科技从单一器件供货走向深度融合先进封装产业链的产品组合，并在逐步成长为AI时代供电网络的高效系统解决方案商。

技术与量产并进：夯实先进封装平台化能力

朗矽科技具备坚实技术基础。已累计取得34项核心专利及布图；2024年获批上海市集成电路先导产业项目；2025年在“创·在上海”国际创新创业大赛中获得一等奖；2026年5月电容密度2μF/mm²、ESL 低于2.9pH的产品通过AEC-Q200车规级可靠性认证；并在积极筹备海外研发中心引进国际人才。公司深耕硅基无源器件并深度融入先进封装产业链，技术积累是必要基础，客户验证与规模交付体现强大落地能力。

未来，朗矽科技将继续围绕先进封装与PDN深度融合，加大硅电容、硅电阻、硅电感的研发和产业化投入，与客户、晶圆厂、封装厂、基板厂等合作伙伴推进联合创新和规模化应用。公司将以硅基无源器件为支点，以平台化能力连接器件、封装与系统，为AI算力和高速互联提供更高效、更可靠的底层技术支撑。

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