AI机柜从kW到MW,安世中国卡位供配电确定性赛道
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AI机柜从kW到MW,安世中国卡位供配电确定性赛道

AI机柜从kW到MW,供配电成确定性赛道

AI算力越高,供电越“吃重”。单机柜功率已从传统20kW向100kW至1MW跃升,供电电压从12V升至48V,再向800V高压直流演进,电压提升67倍,线路损耗与线缆重量大幅降低。与此同时,电源效率目标提升至98%,只允许2%损耗;电从电网到芯片需经过5至6次转换,每一次损耗都直接影响数据中心运营成本。供配电架构正从传统AC多级配电、OCP 48V、MVR+800V,走向SST+800V终极方案,SiC高频隔离效率约98.5%,预计2027年系统商用。

在这一趋势下,供配电不再是数据中心的配套环节,而是决定算力能否稳定、高效、规模化落地的关键基础设施。无论哪家GPU厂商胜出,电源都是绕不开的刚需。安世中国致力于成为“AIDC半导体能源基座领导者”,以完整产品矩阵卡位这一确定性赛道。

从48V到800V,技术迭代驱动价值跃升

架构升级带来的是供配电半导体价值量的系统性提升。据测算,全球约2千万台AI服务器、每台2个PSU,对应AI服务器电源MOSFET市场规模约5亿颗。安世中国MOS明星产品年销量超8500万颗,在PSU次级同步整流和OR-ing领域占据领先份额。随着AI服务器功率密度持续提升,低压MOSFET、SiC模块、IGBT、逻辑器件及小信号器件的单机用量和价值量有望持续增长。

从技术路径看,48V方案在更高功率下面临线路损耗和铜材用量瓶颈,800V高压直流成为重要演进方向。SiC高频隔离、SST固态变压器、DAB隔离DC-DC等新架构,对功率器件、驱动、逻辑和保护器件提出更高要求。安世中国SiC模块覆盖SST固态变压器整流、隔离、输出三级架构,计划2027年提供样品;IGBT覆盖650V和1200V两大电压等级,为800V高压直流时代预留技术储备。

全链路卡位:安世中国供配电半导体矩阵

安世中国在AI供配电领域已构建覆盖全链路的卡位能力。ICS BG提供逻辑、控制与驱动产品,逻辑器件基于12英寸自研工艺平台,具备BONA结构、3倍可靠性裕量和全项可靠性测试通过等优势,主推产品包括74LVC1G08GW、74AHC595PW、74LVC08APW、74HC08D、74HC02D等。Power BG提供六款主推MOSFET,覆盖25V至80V,并布局1200V SiC模块和650V/1200V IGBT产品线。BIP BG提供PMEG肖特基、PTVS TVS、BZT稳压管、PESD ESD、BC三极管、BAS开关二极管等小信号器件,形成完整生态。

这种全链路能力意味着安世中国不只是单一器件供应商,而是能够为AI服务器供配电提供从控制、驱动、功率转换到保护、逻辑、小信号的一站式选型方案。对于电源厂商和服务器客户而言,这有助于降低供应链管理复杂度,提升方案验证效率,并在国产供应链背景下增强交付确定性。

三重驱动共振,国产替代窗口开启

从财经视角看,AI服务器供配电赛道具备“行业高增长+单机价值提升+国产替代”三重驱动。AI算力需求持续增长,供配电作为刚需环节,不受单一GPU路线影响;架构从48V向800V演进,推动SiC、IGBT、高压MOSFET等器件含量提升;全球供应链重构背景下,具备完整产品矩阵、12英寸工艺平台和国产供应链交付能力的本土厂商,正迎来结构性机遇。

安世中国通过“本土研发+深度国产供应链”战略,在控制器、驱动、功率器件等关键环节实现了技术突破和稳定交付。从年销量超8500万颗的PSU功率MOSFET,到覆盖多场景的逻辑与小信号器件,安世中国正以扎实的产品性能和稳定的供应体系,在AI供配电确定性赛道中构建长期价值。



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